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MIC5022AJ: 产品描述Half Bridge Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP14, CERDIP-14; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小404KB，共9页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 相似器件已查找到2个与MIC5022AJ功能相似器件

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MIC5022AJ概述

Half Bridge Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP14, CERDIP-14

MIC5022AJ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19.304 mm
功能数量	1
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	TOTEM-POLE
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	25 mA
最大供电电压	36 V
最小供电电压	12 V
标称供电电压	15 V
表面贴装	NO
技术	BIMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	2 µs
接通时间	2.5 µs
宽度	7.62 mm

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MIC5022 半桥 MOSFET 驱动器以高性能为焦点，优化用于要求严苛的高速应用，如伺服电机和高效电源系统。其设计支持 12V 至 36V 的输入电压，确保在恶劣环境下稳定操作，同时减少电磁干扰（EMI）通过电流源驱动方案。TTL 兼容输入和使能引脚简化了与微控制器的接口，内部逻辑防止无效状态，提升系统完整性。关键技术指标包括快速的上升时间（600ns 驱动 1000pF 负载）和下降时间，最小化开关损耗，提高整体效率。过流保护机制采用分立比较器，高侧和低侧独立设置 50mV 触发阈值，支持外部电容或电阻调整重试周期，从 20% 占空比到 maintained shutdown。栅极驱动输出限制 Vgs 至 15V 最大值，保护功率 MOSFET 免受过压损伤，内部电荷泵确保高侧驱动快速增强。在电机控制和 SMPS 应用中，MIC5022 提供可靠的性能，例如在同步整流器中提升转换效率，延长电池供电设备的运行时间。其紧凑设计和多种封装选项（如 CerDIP 和 SOIC）支持高密度 PCB 布局，适用于便携式和工业设备，实现高速切换与保护功能的平衡。

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MIC5022AJ相似产品对比

	MIC5022AJ
描述	Half Bridge Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP14, CERDIP-14
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
输入特性	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-GDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19.304 mm
功能数量	1
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	TOTEM-POLE
输出极性	TRUE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大压摆率	25 mA
最大供电电压	36 V
最小供电电压	12 V
标称供电电压	15 V
表面贴装	NO
技术	BIMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
断开时间	2 µs
接通时间	2.5 µs
宽度	7.62 mm

与MIC5022AJ功能相似器件

器件名	厂商	描述
MIC5022AJB	Microchip(微芯科技)	Half Bridge Based MOSFET Driver, BIMOS, CDIP14, CERDIP-14
MIC5022BN	Micrel ( Microchip )	Half Bridge Based MOSFET Driver, BIMOS, PDIP14, PLASTIC, DIP-14

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