0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DO-35, 2 PIN |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 0.15 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 75 V |
最大反向电流 | 0.025 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
1N4448 | 1N4149 | 1N4151 | 1N4154 | 1N4446 | 1N4447 | 1N4449 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | unknown | unknown | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOW LEAKAGE CURRENT | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-PALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A | 0.5 A |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C | -65 °C |
最大输出电流 | 0.15 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS | GLASS |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.025 µA | 0.025 µA | 0.05 µA | 0.1 µA | 0.025 µA | 0.025 µA | 0.025 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs | 0.004 µs | 0.004 µs | 0.002 µs | 0.004 µs | 0.002 µs | 0.004 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Is Samacsys | N | N | - | - | N | N | N |
Base Number Matches | 1 | 1 | - | - | 1 | 1 | 1 |
厂商名称 | - | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
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