电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SS8050

产品描述2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

SS8050概述

2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

SS8050规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
SS8050
SS8050
2W Output Amplifier of Portable Radios in
Class B Push-pull Operation.
• Complimentary to SS8550
• Collector Current: I
C
=1.5A
• Collector Power Dissipation: P
C
=2W (T
C
=25°C)
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
40
25
6
1.5
1
150
-65 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE (sat)
V
BE (sat)
V
BE (on)
C
ob
f
T
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Test Condition
I
C
=100µA, I
E
=0
I
C
=2mA, I
B
=0
I
E
=100µA, I
C
=0
V
CB
=35V, I
E
=0
V
EB
=6V, I
C
=0
V
CE
=1V, I
C
=5mA
V
CE
=1V, I
C
=100mA
V
CE
=1V, I
C
=800mA
I
C
=800mA, I
B
=80mA
I
C
=800mA, I
B
=80mA
V
CE
=1V, I
C
=10mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=10V, I
C
=50mA
100
9.0
45
85
40
Min.
40
25
6
100
100
300
0.5
1.2
1
V
V
V
pF
MHz
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
h
FE
Classification
Classification
h
FE2
B
85 ~ 160
C
120 ~ 200
D
160 ~ 300
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B2, August 2004

SS8050相似产品对比

SS8050 SS8050_04
描述 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation. 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1122  1917  237  2616  263  23  39  5  53  6 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved