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MXPLAD30KP64AE3

产品描述TVS DIODE 64V 103V PLAD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小415KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MXPLAD30KP64AE3概述

TVS DIODE 64V 103V PLAD

MXPLAD30KP64AE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明S-PSSO-G1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压78.6 V
最小击穿电压71.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码S-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散30000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压64 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1
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