IKB40N65ES5ATMA1,IKB40N65ES5ATMA1 pdf中文资料,IKB40N65ES5ATMA1引脚图,IKB40N65ES5ATMA1电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> IKB40N65ES5ATMA1

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IKB40N65ES5ATMA1: 产品描述40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小1MB，共16页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IKB40N65ES5ATMA1概述

40A 650V TRENCHSTOP5 MEDIUM SPEE

IKB40N65ES5ATMA1规格参数

参数名称	属性值
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	79A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	160A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.74V @ 15V，40A
功率 - 最大值	230W
开关能量	860µJ（开），400µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	95nC
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/130ns
测试条件	400V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	73ns
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	PG-TO263-3

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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