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1N4007GP

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小65KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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1N4007GP概述

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

1N4007GP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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1N4001-1N4007
1N4001 - 1N4007
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
General Purpose Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
4001
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current,
.375 " lead length @ T
A
= 75°C
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
50
Value
4002
100
Units
4005
600
4003
200
4004
400
1.0
30
4006 4007
800
1000
V
A
A
°C
°C
T
stg
T
J
-55 to +175
-55 to +175
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
Parameter
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Value
3.0
50
Units
W
°C/W
Electrical Characteristics
Symbol
V
F
I
rr
I
R
C
T
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
4001
Forward Voltage @ 1.0 A
Maximum Full Load Reverse Current, Full
Cycle
T
A
= 75°C
Reverse Current @ rated V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
Total Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
Device
4002
4003
4004
1.1
30
5.0
500
15
Units
4005
4006 4007
V
µA
µA
µA
pF
2003
Fairchild Semiconductor Corporation
1N4001-1N4007, Rev. C1

1N4007GP相似产品对比

1N4007GP 1N4002GP 1N4004GP 1N4003GP 1N4005GP
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1000V 100V 400V 200V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 1000V 5µA @ 100V 5µA @ 400V 5µA @ 200V 5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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