1N4003GP: 产品描述DIODE GEN PURP 200V 1A DO41; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小65KB，共3页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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1N4003GP概述

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

1N4003GP规格参数

参数名称	属性值
二极管类型	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	200V
电流 - 平均整流（Io）	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 1A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	5µA @ 200V
不同 Vr，F 时的电容	15pF @ 4V，1MHz
安装类型	通孔
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装	DO-41
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

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1N4001-1N4007

1N4001 - 1N4007

Features

•

Low forward voltage drop.

High surge current capability.

DO-41

COLOR BAND DENOTES CATHODE

General Purpose Rectifiers

Absolute Maximum Ratings*

Symbol

RRM

F(AV)

FSM

= 25°C unless otherwise noted

Parameter

4001

Peak Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current,

.375 " lead length @ T

= 75°C

Non-repetitive Peak Forward Surge

Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

Value

4002

100

Units

4005

600

4003

200

4004

400

1.0

4006 4007

800

1000

°C

stg

-55 to +175

These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

θJA

Parameter

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Value

3.0

Units

°C/W

Electrical Characteristics

Symbol

= 25°C unless otherwise noted

Parameter

4001

Forward Voltage @ 1.0 A

Maximum Full Load Reverse Current, Full

Cycle

= 75°C

Reverse Current @ rated V

= 25°C

= 100°C

Total Capacitance

= 4.0 V, f = 1.0 MHz

Device

4002

4003

4004

1.1

5.0

500

Units

4005

4006 4007

µA

2003

Fairchild Semiconductor Corporation

1N4001-1N4007, Rev. C1

1N4003GP相似产品对比

	1N4003GP	1N4002GP	1N4004GP	1N4005GP	1N4007GP
描述	DIODE GEN PURP 200V 1A DO41	DIODE GEN PURP 100V 1A DO41	DIODE GEN PURP 400V 1A DO41	DIODE GEN PURP 600V 1A DO41	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
二极管类型	标准	标准	标准	标准	标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	200V	100V	400V	600V	1000V
电流 - 平均整流（Io）	1A	1A	1A	1A	1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A	1.1V @ 1A
速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	5µA @ 200V	5µA @ 100V	5µA @ 400V	5µA @ 600V	5µA @ 1000V
不同 Vr，F 时的电容	15pF @ 4V，1MHz	15pF @ 4V，1MHz	15pF @ 4V，1MHz	15pF @ 4V，1MHz	15pF @ 4V，1MHz
安装类型	通孔	通孔	通孔	通孔	通孔
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向	DO-204AL，DO-41，轴向	DO-204AL，DO-41，轴向	DO-204AL，DO-41，轴向	DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C	-55°C ~ 175°C	-55°C ~ 175°C	-55°C ~ 175°C	-55°C ~ 175°C

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