MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 28A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 14A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 28nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1890pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 37W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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