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1N4935GP

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小43KB,共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N4935GP概述

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

1N4935GP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容12pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-50°C ~ 150°C

1N4935GP相似产品对比

1N4935GP 1N4936 1N4936GP 1N4937GP 1N4933GP
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 Rectifiers 1.0a Rectifier Fast Recovery Rectifiers 1.0a Rectifier Fast Recovery DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE - 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V - - 600V 50V
电流 - 平均整流(Io) 1A - - 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.2V @ 1A - - 1.2V @ 1A 1.2V @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 150ns - - 150ns 150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 200V - - 5µA @ 600V 5µA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容 12pF @ 4V,1MHz - - 12pF @ 4V,1MHz 12pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 - - 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 - - DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 - - DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C - - -50°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C

 
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