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PNA4701M00HB

产品描述PHOTO IC INFRARED 36.7KHZ W/HLDR
产品类别传感器   
文件大小444KB,共4页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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PNA4701M00HB概述

PHOTO IC INFRARED 36.7KHZ W/HLDR

PNA4701M00HB规格参数

参数名称属性值
感应距离7m
B.P.F. 中心频率36.7kHz
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
电流 - 电源1mA
朝向侧视图
安装类型通孔
工作温度-15°C ~ 70°C(TA)

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This product complies with the RoHS Directive (EU
2002/95/EC).
Photo IC
PNA4701M
Photodiode with amplifier functions
For infrared remote control systems
0.3 max.
Unit: mm
7.0
±0.2
Not soldered 1.5
1.5max.
(3.5)
(2.25)
5.25
±0.3
Features
Center frequency f
O
: 36.7 kHz
Operating supply voltage V
CC
: 3.3 V(typ.)
Adoption of visible light cutoff resin
M
ain
Di
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
(2.3)
(0.8)
8.0
±0.2
(5.2)
R2.25
±0.1
(5
°)
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
Parameter
Operating supply voltage
Power dissipation
2.0
±0.15
3-1.5
±0.2
3-0.5
-0.15
+0.25
22.0 min.
V
CC
P
D
T
opr
T
stg
T
sol
– 0.5 to +5
200
Operating ambient temperature
Storage temperature
Soldering temperature
*
–15 to +70
260
–40 to +100
Note) *: Less than 5 s
Electrical Characteristics
T
a
= 25°C±3°C, V
CC
= 3.3 V
Parameter
*2
Symbol
V
CC
V
OL
I
CC
pla nc
ea
ne lud
se
pla m d m es
ne ain ain foll
htt visit
d d te te ow
p:/ fo
/w llo dis isc nan nan ing
ww wi co on ce c fo
.se ng ntin tin ty e ty ur
mi UR ue ued pe pe Pro
co L a d t ty
du
n.p bo yp pe
ct
e
life
an ut
d
as lat
cy
on es
cle
ic. t in
sta
co fo
ge
.jp rm
.
/en at
/ ion
.
V
mW
°C
°C
°C
1
2
3
(2-2.54)
Symbol
Rating
Unit
(5
°)
1.0
±0.15
3-0.45
-0.15
+0.25
1: V
O
2: GND
3: V
CC
Conditions
Min
2.7
Typ
3.3
0.1
3.3
0.8
Max
3.6
0.3
1.0
(5
°)
0.3 max.
Operating supply voltage
Output voltage low-level
Supply current
tin
ue
Output voltage high-level
V
OH
di
L ≤ 7 m, I
OL
= 400 µA
No signal condition, I
OH
= –2 µA
2.86
0.6
7.0
Center frequency
Ma
int
en
an
Pulse width high-level
*1
ce
Pulse width low-level
*1
/D
isc
Maximum reception distance
on
L
max
T
WL
f
O
T
WH
L = 0.1 m to 7 m, 16 pulse
200
400
36.7
Carrier frequency
: f
O
Pl
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. *1: Burst wave form Figure 1
*2: Constant wave form Figure 2
Carrier frequency
: f
O
400
µs
400
µs
Figure 1
Figure 2
Publication date : August 2007
SHE00052BED
(5
°
)
Unit
V
V
V
mA
m
ms
kHz
600
1

PNA4701M00HB相似产品对比

PNA4701M00HB PNA4701M PNA4701M00LB
描述 PHOTO IC INFRARED 36.7KHZ W/HLDR IC PHOTO INFRARED 36.7KHZ PHOTO IC INFRARED 36.7KHZ W/HLDR
感应距离 7m - 7m
B.P.F. 中心频率 36.7kHz - 36.7kHz
电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V
电流 - 电源 1mA - 1mA
朝向 侧视图 - 侧视图
安装类型 通孔 - 通孔
工作温度 -15°C ~ 70°C(TA) - -15°C ~ 70°C(TA)

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