Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> STD30NF03LTT4

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STD30NF03LTT4: 产品描述N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小285KB，共13页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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STD30NF03LTT4概述

N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET

STD30NF03LTT4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	30 A
最大漏极电流 (ID)	30 A
最大漏源导通电阻	0.035 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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STD30NF03LT

N-channel 30V - 0.017Ω - 30A - DPAK

STripFET™ II Power MOSFET

General features

Type

STD30NF03LT

■

DSS

30V

DS(on)

< 0.025Ω

30A

Low threshold drive

DPAK

Description

This Power MOSFET is the latest development of

STMicroelectronics unique "Single Feature

Size™" strip-based process. The resulting

transistor shows extremely high packing density

for low on-resistance, rugged avalanche

characteristics and less critical alignment steps

therefore a remarkable manufacturing

reproducibility.

Internal schematic diagram

Applications

■

Switching application

Order codes

Part number

STD30NF03LTT4

Marking

D30NF03LT

Package

DPAK

Packaging

Tape & reel

February 2007

Rev 3

1/13

www.st.com

STD30NF03LTT4相似产品对比

	STD30NF03LTT4	D30NF03LT	STD30NF03LT
描述	N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET	N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET	N-channel 30V - 0.017ohm - 30A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
厂商名称	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)
零件包装代码	TO-252AA	-	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	-	3
Reach Compliance Code	_compli	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
Is Samacsys	N	-	N
其他特性	LOW THRESHOLD	-	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	450 mJ	-	2300 mJ
外壳连接	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V	-	30 V
最大漏极电流 (ID)	30 A	-	30 A
最大漏源导通电阻	0.035 Ω	-	0.035 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	-	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2
元件数量	1	-	1
端子数量	2	-	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	120 A	-	120 A
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES
端子形式	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON
Base Number Matches	1	-	1

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