N-Channel enhancement mode fast power mos transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-218 |
| 包装说明 | ISOWATT218, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 700 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 110 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-218 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 80 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 80 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大开启时间（吨） | 85 ns |
| STH12NA60FI | STW12NA60 | STH12N60 | STH12NA60 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | N-Channel enhancement mode fast power mos transistor | N-Channel enhancement mode fast power mos transistor | N-Channel enhancement mode fast power mos transistor | N-Channel enhancement mode fast power mos transistor |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | - |
| Reach Compliance Code | _compli | compli | _compli | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 700 mJ | 700 mJ | 550 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A | 12 A | 12 A | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A | 12 A | 12 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω | 0.6 Ω | 0.6 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| 最大反馈电容 (Crss) | 110 pF | 110 pF | 200 pF | - |
| JEDEC-95代码 | TO-218 | TO-247 | TO-218 | - |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | e0 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 功耗环境最大值 | 80 W | 190 W | 180 W | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 80 W | 190 W | 180 W | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A | 48 A | 48 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| 最大开启时间（吨） | 85 ns | 85 ns | 150 ns | - |
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