电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT7MP4045S17Z

产品描述SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS
产品类别存储   
文件大小205KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IDT7MP4045S17Z概述

SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS

IDT7MP4045S17Z规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间17 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-T64
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量64
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP64/68,.1,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度15.24 mm
最大待机电流0.32 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

IDT7MP4045S17Z相似产品对比

IDT7MP4045S17Z IDT7MP4045SA35Z IDT7MP4045SA35M IDT7MP4045SA17Z IDT7MP4045S17M IDT7MP4045S35Z IDT7MP4045S35M IDT7MP4045SA17M
描述 SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 35ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 35ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 35ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 35ns, BICMOS SRAM Module, 256KX32, 17ns, BICMOS
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 17 ns 35 ns 35 ns 17 ns 17 ns 35 ns 35 ns 17 ns
JESD-30 代码 R-XZMA-T64 R-XZMA-T64 R-XSMA-N64 R-XZMA-T64 R-XSMA-N64 R-XZMA-T64 R-XSMA-N64 R-XSMA-N64
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 64 64 64 64 64 64 64 64
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32 256KX32
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 225 NOT SPECIFIED 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG SINGLE ZIG-ZAG SINGLE ZIG-ZAG SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Is Samacsys N N N N N - - -
I/O 类型 COMMON - - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 - e0 - -
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装代码 ZIP - - ZIP SIMM ZIP SIMM SIMM
封装等效代码 ZIP64/68,.1,.1 - - ZIP64/68,.1,.1 SSIM64 ZIP64/68,.1,.1 SSIM64 SSIM64
电源 5 V - - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
座面最大高度 15.24 mm - - 15.24 mm 16.002 mm 15.24 mm 16.764 mm 16.764 mm
最大待机电流 0.32 A - - 0.32 A 0.32 A 0.12 A 0.12 A 0.32 A
最小待机电流 4.5 V - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 1.6 mA - - 1.6 mA 1.6 mA 1.36 mA 1.36 mA 1.6 mA
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - -
端子节距 1.27 mm - - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 878  844  2468  2365  258  25  59  42  34  52 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved