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FR1JTA

产品描述DIODE GEN PURP 600V 1A SMB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小318KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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FR1JTA概述

DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

FR1JTA规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)250ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容10pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装SMB
工作温度 - 结-50°C ~ 150°C

FR1JTA相似产品对比

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描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SMB DIODE GEN PURP 50V 1A SMB DIODE GEN PURP 100V 1A SMB DIODE GEN PURP 200V 1A SMB DIODE GEN PURP 400V 1A SMB DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V 50V 100V 200V 400V 800V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 250ns 150ns 150ns 150ns 150ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 600V 5µA @ 50V 5µA @ 100V 5µA @ 200V 5µA @ 400V 5µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB
供应商器件封装 SMB SMB SMB SMB SMB SMB
工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C
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