电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FR1DTA

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小318KB,共4页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FR1DTA概述

DIODE GEN PURP 200V 1A SMB

FR1DTA规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容10pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装SMB
工作温度 - 结-50°C ~ 150°C

FR1DTA相似产品对比

FR1DTA FR1ATA FR1BTA FR1GTA FR1JTA FR1KTA
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SMB DIODE GEN PURP 50V 1A SMB DIODE GEN PURP 100V 1A SMB DIODE GEN PURP 400V 1A SMB DIODE GEN PURP 600V 1A SMB DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V 50V 100V 400V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 150ns 150ns 150ns 150ns 250ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 200V 5µA @ 50V 5µA @ 100V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz 10pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB
供应商器件封装 SMB SMB SMB SMB SMB SMB
工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 864  1379  1397  1688  1705 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved