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1N5397-T

产品描述DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小48KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5397-T概述

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15

1N5397-T规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1.5A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容20pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装DO-15
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

1N5397-T相似产品对比

1N5397-T 1N5395-T 1N5391-T 1N5391S-T 1N5395S-T 1N5397S-T
描述 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15 Rectifiers 1.5A 400V DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41 DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO41
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V - 50V 50V 400V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1.5A - 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1.5A - 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 600V - 5µA @ 50V 5µA @ 50V 5µA @ 400V 5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容 20pF @ 4V,1MHz - 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AC,DO-15,轴向 - DO-204AC,DO-15,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-15 - DO-15 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C - -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C

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