电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1N5391S-T

产品描述DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小48KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N5391S-T概述

DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41

1N5391S-T规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)50V
电流 - 平均整流(Io)1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1.5A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 50V
不同 Vr,F 时的电容20pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

1N5391S-T相似产品对比

1N5391S-T 1N5395-T 1N5391-T 1N5395S-T 1N5397-T 1N5397S-T
描述 DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO41 Rectifiers 1.5A 400V DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15 DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO41 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO15 DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO41
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 50V - 50V 400V 600V 600V
电流 - 平均整流(Io) 1.5A - 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1.5A - 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A 1.1V @ 1.5A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 50V - 5µA @ 50V 5µA @ 400V 5µA @ 600V 5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容 20pF @ 4V,1MHz - 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz 20pF @ 4V,1MHz
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 - DO-204AC,DO-15,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AC,DO-15,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 - DO-15 DO-41 DO-15 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C - -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 399  544  675  1078  1641 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved