DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
参数名称 | 属性值 |
二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) | 800V |
电流 - 平均整流(Io) | 800mA |
不同 If 时的电压 - 正向(Vf | 1.3V @ 800mA |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间(trr) | 500ns |
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 5µA @ 800V |
不同 Vr,F 时的电容 | 10pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DO-219AB |
供应商器件封装 | Sub SMA |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved