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FP25R12KE3BOSA1

产品描述IGBT MODULE 1200V 25A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小510KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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FP25R12KE3BOSA1概述

IGBT MODULE 1200V 25A

FP25R12KE3BOSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X24
元件数量7
端子数量24
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)610 ns
标称接通时间 (ton)135 ns
Base Number Matches1

FP25R12KE3BOSA1相似产品对比

FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3
描述 IGBT MODULE 1200V 25A IGBT Modules 1200V 25A PIM
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24
针数 24 24
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 COMPLEX COMPLEX
JESD-30 代码 R-XUFM-X24 R-XUFM-X24
元件数量 7 7
端子数量 24 24
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 610 ns 610 ns
标称接通时间 (ton) 135 ns 135 ns
Base Number Matches 1 1
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