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ES3DV R7G

产品描述DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小249KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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ES3DV R7G概述

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

ES3DV R7G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf900mV @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容45pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AB,SMC
供应商器件封装DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

ES3DV R7G相似产品对比

ES3DV R7G ES3DVHR7G ES3DVHR6G ES3DVHM6G ES3DV M6G ES3DV V6G ES3DV V7G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
二极管类型 标准 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V - - - 200V 200V 200V
电流 - 平均整流(Io) 3A - - - 3A 3A 3A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - - - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 20ns - - - 20ns 20ns 20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 200V - - - 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 45pF @ 4V,1MHz - - - 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 - - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AB,SMC - - - DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC
供应商器件封装 DO-214AB(SMC) - - - DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C - - - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

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