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ES3DVHM6G

产品描述DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小249KB,共6页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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ES3DVHM6G概述

DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

ES3DVHM6G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.02 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ES3DVHM6G相似产品对比

ES3DVHM6G ES3DVHR7G ES3DVHR6G ES3DV M6G ES3DV V6G ES3DV R7G ES3DV V7G
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER Rectifiers 3A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - - - 200V 200V 200V 200V
电流 - 平均整流(Io) - - - 3A 3A 3A 3A
速度 - - - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) - - - 20ns 20ns 20ns 20ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - - - 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 - - - 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz 45pF @ 4V,1MHz
安装类型 - - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - - - DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC DO-214AB,SMC
供应商器件封装 - - - DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC) DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结 - - - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

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