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CMST2222A TR

产品描述TRANS NPN 40V 0.6A SOT323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小472KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMST2222A TR概述

TRANS NPN 40V 0.6A SOT323

CMST2222A TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值275mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

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CMST2222A
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST2222A
type is an NPN silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for small signal, general
purpose and switching applications.
MARKING CODE: 1PC
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
40
6.0
600
275
-65 to +150
455
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=60V
ICBO
VCB=60V, TA=125°C
ICEV
VCE=60V, VEB=3.0V
IEBO
VEB=3.0V
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
75
40
6.0
MAX
10
10
10
10
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
0.6
35
50
75
100
50
40
300
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V, IC=10mA
VCE=10V, IC=150mA
VCE=1.0V, IC=150mA
VCE=10V, IC=500mA
VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz
300
MHz
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