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1N252

产品描述0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小263KB,共6页
制造商ETC
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1N252概述

0.01 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7

LDO的功耗Pl=(Vi-Vo)*Iout;MCU降压节省的功耗全部被LDO吞噬,整个系统并没有降低功耗。
如图所示LDO分别是U2/RT9013-3.3和 U3/RT9013-1.85。 MCU是STM32L486,VDD供电范围是 1.71V~3.6V,主频80Mhz,Iout = 8mA。 电源是聚合物锂电池,额定输出电压 Vbat = 3. ......
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