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FDZ197PZ

产品描述MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDZ197PZ概述

MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP

FDZ197PZ规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明GRID ARRAY, R-PBGA-B6
制造商包装代码567PW
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.8 A
最大漏极电流 (ID)3.8 A
最大漏源导通电阻0.071 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)225 pF
JESD-30 代码R-PBGA-B6
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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