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CMUD2838 TR

产品描述DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT523
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小541KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMUD2838 TR概述

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT523

CMUD2838 TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阴极
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)75V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)4ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 50V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装SOT-523

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CMUD2836
CMUD2838
SURFACE MOUNT
DUAL, HIGH SPEED
SILICON SWITCHING DIODES
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUD2836
and CMUD2838 types are ultra-high speed silicon
switching diodes manufactured by the epitaxial planar
process, in an epoxy molded ULTRAmini™ surface
mount package, designed for high speed switching
applications.
SOT-523 CASE
The following configurations are available:
CMUD2836
DUAL, COMMON ANODE
CMUD2838
DUAL, COMMON CATHODE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Forward Current
Peak Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
MARKING CODE: 2CA
MARKING CODE: 6CA
SYMBOL
VRRM
IO
IFM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
200
300
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=50V
IR=100μA
IF=10mA
IF=50mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
1.5
100
75
1.0
1.0
1.2
4.0
4.0
UNITS
nA
V
V
V
V
pF
ns
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