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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IDH12SG60CXKSA2
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IDH12SG60CXKSA2

产品描述DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小566KB，共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IDH12SG60CXKSA2在线购买

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IDH12SG60CXKSA2概述

DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2

IDH12SG60CXKSA2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time18 weeks
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流51 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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IDH12SG60C
3 Generation thinQ!
Features
rd
TM
SiC Schottky Diode
Product Summary
V
DC
Q
C
I
F
;
T
C
<
130 °C
600
19
12
V
nC
A
• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide
• Switching behavior benchmark
• No reverse recovery / No forward recovery
• Temperature independent switching behavior
• High surge current capability
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
• Breakdown voltage tested at 20mA
2)
• Optimized for high temperature operation
• Lowest Figure of Merit Q
C
/I
F
thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like:
• SMPS e.g.; CCM PFC
• Motor Drives; Solar Applications; UPS
Type
IDH12SG60C
Package
PG-TO220-2
Marking
D12G60C
Pin 1
C
Pin 2
A
Maximum ratings
Parameter
Continuous forward current
Symbol Conditions
I
F
T
C
<130 °C
T
C
=25 °C,
t
p
=10 ms
T
C
=150 °C,
t
p
=10 ms
T
C
=25 °C,
t
p
=10 µs
T
C
=25 °C,
t
p
=10 ms
T
C
=150 °C,
t
p
=10 ms
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
Soldering temperature,
wavesoldering only allowed at leads
Mounting torque
V
RRM
dv/ dt
P
tot
T
j
,
T
stg
T
sold
1.6mm (0.063 in.)
from case for 10s
M3 and M3.5 screws
T
j
=25 °C
V
R
= 0….480 V
T
C
=25 °C
Value
12
59
51
430
17
12
600
50
125
-55 ... 175
260
60
Ncm
V
V/ns
W
°C
A
2
s
Unit
A
Surge non-repetitive forward current,
I
F,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current
i
²t value
I
F,max
∫i
2
dt
Rev. 2.3
page 1
2013-02-11

IDH12SG60CXKSA2相似产品对比

IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60C SP001632404
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2 Real Time Clock 64k NV SRAM w/Phantom Clock Rectifier Diode,
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 符合 -
包装说明 R-PSFM-T2 GREEN, PLASTIC, TO-220, 2 PIN -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE -
外壳连接 CATHODE CATHODE -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON CARBIDE SILICON CARBIDE -
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC -
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 -
最大非重复峰值正向电流 51 A 51 A -
元件数量 1 1 -
相数 1 1 -
端子数量 2 2 -
最高工作温度 175 °C 175 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
最大输出电流 12 A 12 A -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V -
表面贴装 NO NO -
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

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