Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IDH12SG60C

IDH12SG60C: 产品描述Real Time Clock 64k NV SRAM w/Phantom Clock; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小566KB，共7页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IDH12SG60C概述

Real Time Clock 64k NV SRAM w/Phantom Clock

IDH12SG60C规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TO-220AC
包装说明	GREEN, PLASTIC, TO-220, 2 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON CARBIDE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	2.1 V
JEDEC-95代码	TO-220AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流	51 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	12 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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IDH12SG60C

3 Generation thinQ!

Features

SiC Schottky Diode

Product Summary

;

130 °C

600

• Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide

• Switching behavior benchmark

• No reverse recovery / No forward recovery

• Temperature independent switching behavior

• High surge current capability

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC

for target applications

• Breakdown voltage tested at 20mA

• Optimized for high temperature operation

• Lowest Figure of Merit Q

thinQ! 3G Diode designed for fast switching applications like:

• SMPS e.g.; CCM PFC

• Motor Drives; Solar Applications; UPS

Type

IDH12SG60C

Package

PG-TO220-2

Marking

D12G60C

Pin 1

Pin 2

Maximum ratings

Parameter

Continuous forward current

Symbol Conditions

<130 °C

=25 °C,

=10 ms

=150 °C,

=10 ms

=25 °C,

=10 µs

=25 °C,

=10 ms

=150 °C,

=10 ms

Repetitive peak reverse voltage

Diode dv/dt ruggedness

Power dissipation

Operating and storage temperature

Soldering temperature,

wavesoldering only allowed at leads

Mounting torque

RRM

dv/ dt

tot

stg

sold

1.6mm (0.063 in.)

from case for 10s

M3 and M3.5 screws

=25 °C

= 0….480 V

=25 °C

Value

430

600

125

-55 ... 175

260

Ncm

V/ns

°C

Unit

Surge non-repetitive forward current,

F,SM

sine halfwave

Non-repetitive peak forward current

²t value

F,max

∫i

Rev. 2.3

page 1

2013-02-11

IDH12SG60C相似产品对比

	IDH12SG60C	SP001632404	IDH12SG60CXKSA2
描述	Real Time Clock 64k NV SRAM w/Phantom Clock	Rectifier Diode,	DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	符合	-	符合
包装说明	GREEN, PLASTIC, TO-220, 2 PIN	-	R-PSFM-T2
ECCN代码	EAR99	-	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	-	GENERAL PURPOSE
外壳连接	CATHODE	-	CATHODE
配置	SINGLE	-	SINGLE
二极管元件材料	SILICON CARBIDE	-	SILICON CARBIDE
JEDEC-95代码	TO-220AC	-	TO-220AC
JESD-30 代码	R-PSFM-T2	-	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流	51 A	-	51 A
元件数量	1	-	1
相数	1	-	1
端子数量	2	-	2
最高工作温度	175 °C	-	175 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C
最大输出电流	12 A	-	12 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	600 V	-	600 V
表面贴装	NO	-	NO
技术	SCHOTTKY	-	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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