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W78IRD2A25DL

产品描述IC MCU 8BIT 64KB FLASH 40DIP
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小1MB,共76页
制造商Nuvoton(新唐科技)
官网地址http://www.nuvoton.com.cn/hq/
标准
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W78IRD2A25DL概述

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 40DIP

W78IRD2A25DL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Nuvoton(新唐科技)
零件包装代码DIP
包装说明DIP-40
针数40
Reach Compliance Codecompliant
具有ADCNO
地址总线宽度16
位大小8
CPU系列8051
最大时钟频率20 MHz
DAC 通道NO
DMA 通道NO
外部数据总线宽度16
JESD-30 代码R-PDIP-T40
JESD-609代码e3
长度52.2 mm
I/O 线路数量32
端子数量40
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
RAM(字节)1280
ROM(单词)65536
ROM可编程性FLASH
座面最大高度5.334 mm
速度20 MHz
最大压摆率20 mA
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.7 V
标称供电电压5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER

文档解析

W78IRD2微控制器具有以下存储器和RAM容量:

  1. 程序存储空间:拥有64-KB的Flash EPROM,这是用于存储程序代码的非易失性存储器。

  2. 数据存储空间:提供256字节的片上RAM和1-KB的辅助RAM(AUX-RAM)。这些是用于数据存储的易失性存储器。

对于大多数嵌入式应用来说,这样的存储器配置是足够的,尤其是当考虑到它还具备扩展外部存储器的能力时。然而,是否“足够”取决于您的项目具体需求:

  • 如果您的项目需要存储大量的程序代码,64-KB的Flash EPROM可能对一些复杂应用来说可能不够用,但对许多常规的嵌入式控制应用来说是充足的。

  • 对于数据存储,如果您的项目需要处理大量数据或需要较大的数据缓冲区,那么256字节的RAM加上1-KB的辅助RAM可能需要评估。您可能需要考虑使用外部RAM来扩展数据存储能力。

  • 如果您需要存储大量数据或运行内存密集型应用,可能需要考虑增加外部存储器或选择具有更大内部存储器的微控制器。

总的来说,W78IRD2微控制器的存储器容量对于许多标准嵌入式应用来说是合适的,但对于特定需求,您可能需要进行详细的需求分析或考虑使用外部存储器扩展。

W78IRD2A25DL相似产品对比

W78IRD2A25DL W78IRD2A25PL W78IRD2A25DN
描述 IC MCU 8BIT 64KB FLASH 40DIP IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44PLCC Microcontroller, 8-Bit, FLASH, 8051 CPU, 25MHz, CMOS, PDIP40,
是否Rohs认证 符合 符合 不符合
厂商名称 Nuvoton(新唐科技) Nuvoton(新唐科技) Nuvoton(新唐科技)
包装说明 DIP-40 LCC-44 DIP, DIP40,.6
Reach Compliance Code compliant compliant compli
位大小 8 8 8
CPU系列 8051 8051 8051
JESD-30 代码 R-PDIP-T40 S-PQCC-J44 R-PDIP-T40
端子数量 40 44 40
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ DIP
封装等效代码 DIP40,.6 LDCC44,.7SQ DIP40,.6
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
电源 3/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
RAM(字节) 1280 1280 1280
ROM(单词) 65536 65536 65536
ROM可编程性 FLASH FLASH FLASH
速度 20 MHz 20 MHz 25 MHz
最大压摆率 20 mA 20 mA 20 mA
表面贴装 NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL
是否无铅 不含铅 不含铅 -
零件包装代码 DIP LCC -
针数 40 44 -
具有ADC NO NO -
地址总线宽度 16 16 -
最大时钟频率 20 MHz 20 MHz -
DAC 通道 NO NO -
DMA 通道 NO NO -
外部数据总线宽度 16 16 -
JESD-609代码 e3 e3 -
长度 52.2 mm 16.585 mm -
I/O 线路数量 32 32 -
PWM 通道 YES YES -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 245 -
座面最大高度 5.334 mm 4.699 mm -
最大供电电压 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 2.7 V 2.7 V -
标称供电电压 5 V 5 V -
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40 -
宽度 15.24 mm 16.585 mm -
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER MICROCONTROLLER -

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