电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

AS4C64M16D3A-12BIN

产品描述IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
产品类别存储   
文件大小2MB,共86页
制造商Alliance Memory
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

AS4C64M16D3A-12BIN概述

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

AS4C64M16D3A-12BIN规格参数

参数名称属性值
存储器类型易失
存储器格式DRAM
技术SDRAM - DDR3
存储容量1Gb (64M x 16)
时钟频率800MHz
写周期时间 - 字,页15ns
访问时间20ns
存储器接口并联
电压 - 电源1.425 V ~ 1.575 V
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳96-VFBGA
供应商器件封装96-FBGA(13x8)

AS4C64M16D3A-12BIN相似产品对比

AS4C64M16D3A-12BIN AS4C64M16D3A-12BCNTR AS4C64M16D3A-12BCN AS4C64M16D3A-12BINTR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
技术 SDRAM - DDR3 - CMOS SDRAM - DDR3

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 59  767  885  960  1083 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved