DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Alliance Memory |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 96 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm |
| AS4C64M16D3A-12BCN | AS4C64M16D3A-12BCNTR | AS4C64M16D3A-12BIN | AS4C64M16D3A-12BINTR | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 | DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3 | IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA | IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA |
| 技术 | CMOS | - | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 |
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