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FR107-T

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小51KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FR107-T概述

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

FR107-T规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 1000V
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

FR107-T相似产品对比

FR107-T FR106-T FR107-13
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
二极管类型 标准 标准 RECTIFIER DIODE
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1000V 800V -
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A -
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A -
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) -
反向恢复时间(trr) 500ns 250ns -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 1000V 5µA @ 800V -
安装类型 通孔 通孔 -
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 -
供应商器件封装 DO-41 DO-41 -
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -

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