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1N5402/54

产品描述DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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1N5402/54概述

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

1N5402/54规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-201AD
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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1N5400 thru 1N5408
Vishay General Semiconductor
General Purpose Plastic Rectifier
FEATURES
• Low forward voltage drop
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
DO-201AD
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
T
J
max.
3.0 A
50 V to 1000 V
200 A
5.0 μA
1.2 V
150 °C
Note
• These devices are not AEC-Q101 qualified.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD, molded epoxy body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak
reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward
rectified current 0.5" (12.5 mm)
lead length at T
L
= 105 °C
Peak forward surge current
8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum full load reverse
current, full cycle average
0.5" (12.5 mm) lead length
at T
L
= 105 °C
Operating junction and
storage temperature range
SYMBOL 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408 UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3.0
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
I
FSM
200
A
I
R(AV)
500
μA
T
J
, T
STG
- 50 to + 150
°C
Document Number: 88516
Revision: 04-Nov-09
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1

1N5402/54相似产品对比

1N5402/54 P0603Y2640PBTE
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 264ohm, 75V, 0.02% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2 CHIP
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT AEC-Q200, ANTI-SULFUR, HIGH PRECISION
端子数量 2 2
封装形式 LONG FORM SMT
表面贴装 NO YES
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