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RN1909(T5L,F,T)

产品描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小297KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1909(T5L,F,T)概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1909(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)70 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装US6

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RN1907~RN1909
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1907, RN1908, RN1909
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2907 to RN2909
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1907
RN1908
RN1909
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1907 to
1909
RN1907
Emitter-base voltage
RN1908
RN1909
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1907 to
1909
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
200
150
−55
to 150
US6
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2J1A
Weight: 6.8mg(typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
*: Total rating
Equivalent Circuit
(Top View)
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN1909(T5L,F,T)相似产品对比

RN1909(T5L,F,T) RN1907(T5L,F,T) RN1907,LF(CT RN1908(T5L,F,T) RN1907,LF
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 tran dual npn us6 50v 100a TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双) - 2 个 NPN 预偏压式(双) 2 个 NPN 预偏压式(双) 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA - 100mA 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V - 50V 50V 50V
电阻器 - 基底(R1) 47 千欧 - 10 千欧 22 千欧 10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2) 22 千欧 - 47 千欧 47 千欧 47 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 10mA,5V - 80 @ 10mA,5V 80 @ 10mA,5V 80 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA - 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO) - 500nA 100nA(ICBO) 500nA
频率 - 跃迁 250MHz - 250MHz 250MHz 250MHz
功率 - 最大值 200mW - 200mW 200mW 200mW
安装类型 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 - 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6 - US6 US6 US6

 
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