Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RN1908(T5L,F,T)

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RN1908(T5L,F,T): 产品描述TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小297KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN1908(T5L,F,T)概述

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1908(T5L,F,T)规格参数

参数名称	属性值
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）	22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）	47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
频率 - 跃迁	250MHz
功率 - 最大值	200mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	US6

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RN1907~RN1909

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1907, RN1908, RN1909

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2907 to RN2909

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1907

RN1908

RN1909

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1907 to

1909

RN1907

Emitter-base voltage

RN1908

RN1909

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1907 to

1909

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

200

150

−55

to 150

US6

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2J1A

Weight: 6.8mg(typ.)

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

Equivalent Circuit

(Top View)

Start of commercial production

1990-12

2014-03-01

RN1908(T5L,F,T)相似产品对比

	RN1908(T5L,F,T)	RN1907(T5L,F,T)	RN1907,LF(CT	RN1909(T5L,F,T)	RN1907,LF
描述	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	tran dual npn us6 50v 100a	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）	-	2 个 NPN 预偏压式（双）	2 个 NPN 预偏压式（双）	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA	-	100mA	100mA	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V	-	50V	50V	50V
电阻器 - 基底（R1）	22 千欧	-	10 千欧	47 千欧	10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）	47 千欧	-	47 千欧	22 千欧	47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 10mA，5V	-	80 @ 10mA，5V	70 @ 10mA，5V	80 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250µA，5mA	-	300mV @ 250µA，5mA	300mV @ 250µA，5mA	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）	-	500nA	100nA（ICBO）	500nA
频率 - 跃迁	250MHz	-	250MHz	250MHz	250MHz
功率 - 最大值	200mW	-	200mW	200mW	200mW
安装类型	表面贴装	-	表面贴装	表面贴装	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	-	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	US6	-	US6	US6	US6

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