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RN1113MFV,L3F

产品描述X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小380KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1113MFV,L3F概述

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

RN1113MFV,L3F规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)120 @ 1mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VESM
debug32问题
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