W3E32M64S-333SBC,W3E32M64S-333SBC pdf中文资料,W3E32M64S-333SBC引脚图,W3E32M64S-333SBC电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> W3E32M64S-333SBC

W3E32M64S-333SBC: 产品描述DDR DRAM; 产品类别存储存储; 文件大小725KB，共17页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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W3E32M64S-333SBC概述

DDR DRAM

双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器

W3E32M64S-333SBC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208
JESD-609代码	e0
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	208
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA208,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.02 A
最大压摆率	1.62 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

W3E32M64S-333SBC相似产品对比

	W3E32M64S-333SBC	W3E32M64S-250SBM	W3E32M64S-266SBM	W3E32M64S-XSBX	W3E32M64S-333SBM	W3E32M64S-333SBI	W3E32M64S-266SBI	W3E32M64S-266SBC	W3E32M64S-250SBC	W3E32M64S-200SBI
描述	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA208,11X19,40	13 X 22 MM, PLASTIC, BGA-208	13 X 22 MM, PLASTIC, BGA-208	,	13 X 22 MM, PLASTIC, BGA-208	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.8 ns	0.75 ns	-	0.7 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	-	AUTO REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	125 MHz	133 MHz	-	166 MHz	166 MHz	133 MHz	133 MHz	125 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	-	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208
JESD-609代码	e0	e0	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bi	2147483648 bit	-	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bit	2147483648 bi	2147483648 bi	2147483648 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64	-	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	-	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	208	208	208	-	208	208	208	208	208	208
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	-	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	-	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	125 °C	125 °C	-	125 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C
组织	32MX64	32MX64	32MX64	-	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64	32MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	-	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	-	-	-	-	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	-	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最大压摆率	1.62 mA	1.6 mA	1.6 mA	-	1.62 mA	1.62 mA	1.6 mA	1.6 mA	1.6 mA	1.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
座面最大高度	-	2.61 mm	2.61 mm	-	-	-	2.61 mm	2.61 mm	2.61 mm	2.61 mm

W3E32M64S-333SBC

W3E32M64S-333SBC概述

W3E32M64S-333SBC规格参数

W3E32M64S-333SBC相似产品对比

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