MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 1 week |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 810 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (ID) | 100 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0033 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
IPP100N04S2L03AKSA2 | IPB100N04S2L-03 | IPP100N04S2L03AKSA1 | IPB100N04S2L03ATMA2 | |
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描述 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 810 mJ | 810 mJ | 810 mJ | 810 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
最大漏极电流 (ID) | 100 A | 100 A | 100 A | 100 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0033 Ω | 0.003 Ω | 0.0033 Ω | 0.003 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-263AB | TO-220AB | TO-263AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 400 A | 400 A | 400 A | 400 A |
表面贴装 | NO | YES | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
Factory Lead Time | 1 week | - | 1 week | 10 weeks |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
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