1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | White Electronic Designs Corporation |
| 包装说明 | DIMM, |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.5 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 内存密度 | 8589934592 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 200 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Gold (Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| WV3HG264M64EEU534D4SG | WV3HG264M64EEU-D4 | WV3HG264M64EEU534D4MG | WV3HG264M64EEU665D4SG | WV3HG264M64EEU403D4SG | WV3HG264M64EEU403D4MG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED | 1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | White Electronic Designs Corporation | - | White Electronic Designs Corporation | White Electronic Designs Corporation | White Electronic Designs Corporation | White Electronic Designs Corporation |
| 包装说明 | DIMM, | - | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | - | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.5 ns | - | 0.5 ns | 0.45 ns | 0.6 ns | 0.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 | - | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 | R-XZMA-N200 |
| JESD-609代码 | e4 | - | e4 | e4 | e4 | e4 |
| 内存密度 | 8589934592 bi | - | 8589934592 bi | 8589934592 bi | 8589934592 bi | 8589934592 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 | - | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 200 | - | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 字数 | 134217728 words | - | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 | - | 128000000 | 128000000 | 128000000 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 128MX64 | - | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 | 128MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | - | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES | - | YES | YES | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | - | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | - | OTHER | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Gold (Au) | - | Gold (Au) | Gold (Au) | Gold (Au) | Gold (Au) |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | ZIG-ZAG | - | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG | ZIG-ZAG |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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