电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TS35P05G C2G

产品描述BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小198KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

TS35P05G C2G概述

BRIDGE RECT 1P 600V 35A TS-6P

TS35P05G C2G规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)35A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 17.5A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 600V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳4-SIP,TS-6P
供应商器件封装TS-6P

文档预览

下载PDF文档
TS35P05G - TS35P07G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
35A, 600V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- Typical I
R
less than 0.1μA
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
+
~
~ –
TS-6P
MECHANICAL DATA
Case:
TS-6P
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Mounting torque:
8.17 in-lbs maximum
Weight:
7.15 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 17.5 A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: With idea heatsink
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
TS35P05G
600
420
600
TS35P06G
800
560
800
35
350
508
1.1
10
500
0.6
- 55 to +150
- 55 to +150
TS35P07G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
μA
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D141107
Version: D15
不采用dds技术,做一个正弦波发生器
请问怎么做一个正弦波发生器,不采用dds技术,请高手指教...
量子阱 FPGA/CPLD
波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题
波特率和时间的关系,以及三极管/MOS在通讯接口电平转换的应用问题 MCU的串口电压域是3V的,传感器是5V的串口电压域。为了能正常的通讯且考虑成本,没有用TI的sn74lvc2t45、润石的RS0102 ......
QWE4562009 分立器件
中高压 GaN 器件:纵向还是横向?
垂直结构通常被认为有利于高电压、高功率器件,因为它便于电流扩散和热管理,并允许在不增大芯片尺寸的情况下实现高电压几乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直结构此外,与GaN-on-Si ......
石榴姐 无线连接
TI公司430例程,有各种模块,好好研读通就入行了
C程序和IAR后缀的都有,可以查看和使用。针对AD 定时器,通信,flash等等,原汁原味的程序好好研读,一定会有收获 160664 ...
稻盛和夫 单片机
这个物联网大篷车来了,谁去看看?
坛子里看到的,觉得挺有意思: >>Internet of Tomorrow Tour(未来互联网之旅) 谁去看看,回来写个详细的图文贴,也让没看到的人开开眼 。:pleased: 200963 ...
soso 无线连接
目前白光LED光效能达到多少?
大家都来谈谈,你所知道的目前白光LED光效能达到多少?...
qwqwqw2088 LED专区

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 257  2134  890  1056  2461  10  27  50  43  57 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved