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RS1MLSHRVG

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小348KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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RS1MLSHRVG概述

DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE

RS1MLSHRVG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

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RS1JLS - RS1MLS
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
Surface Mount Fast Recovery Rectifiers
FEATURES
- Ideal for automated placement
- Compact package size
- High surge current capability
- Low power loss, high efficiency
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-123HE
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.022g (approximately)
SOD-123HE
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 1.2 A
Maximum reverse current @ rated VR T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse recovery test condition: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
trr
R
θJC
R
θJA
T
J
T
STG
SYMBOL
RS1JLS
RJLS
600
420
600
RS1KLS
RKLS
800
560
800
1.2
50
1.3
5
150
300
26
80
- 55 to +150
- 55 to +150
O
RS1MLS
RMLS
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
V
μA
ns
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1407030
Version: C14

RS1MLSHRVG相似产品对比

RS1MLSHRVG RS1KLS RVG RS1JLS RVG RS1MLS RVG
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE DIODE GEN PURP 800V 1.2A SOD123 DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123 DIODE GEN PURP 1KV 1.2A SOD123HE
二极管类型 RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - 800V 600V 1000V
电流 - 平均整流(Io) - 1.2A 1.2A 1.2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf - 1.3V @ 1.2A 1.3V @ 1.2A 1.3V @ 1.2A
速度 - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) - 300ns 300ns 300ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - 5µA @ 800V 5µA @ 600V 5µA @ 1000V
安装类型 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - SOD-123H SOD-123H SOD-123H
供应商器件封装 - SOD-123HE SOD-123HE SOD-123HE
工作温度 - 结 - -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
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