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NSVMMBT2222AM3T5G

产品描述NPN Bipolar Transistor, 8000-REEL, Automotive Qualified
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准  
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NSVMMBT2222AM3T5G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NSVMMBT2222AM3T5G概述

NPN Bipolar Transistor, 8000-REEL, Automotive Qualified

NSVMMBT2222AM3T5G规格参数

参数名称属性值
Brand Nameonsemi
是否无铅不含铅
Objectid8366504301
包装说明SOT-723, 3 PIN
制造商包装代码631AA
Reach Compliance Codecompliant
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time4 weeks
Samacsys DescriptionON SEMICONDUCTOR - NSVMMBT2222AM3T5G - TRANS, NPN, 40V, 0.6A, 150DEG C, 0.64W
Samacsys Manufactureronsemi
Samacsys Modified On2023-06-22 02:40:13
YTEOL7.5
最大集电极电流 (IC)0.6 A
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)75
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.64 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)35 ns
VCEsat-Max1 V
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