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MRF19085LR5

产品描述FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小441KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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MRF19085LR5概述

FET RF 65V 1.99GHZ NI-780

MRF19085LR5规格参数

参数名称属性值
晶体管类型LDMOS
频率1.93GHz ~ 1.99GHz
增益13dB
电压 - 测试26V
电流 - 测试850mA
功率 - 输出18W
电压 - 额定65V
封装/外壳NI-780
供应商器件封装NI-780

MRF19085LR5相似产品对比

MRF19085LR5 MRF19085LSR3 MRF19085LR3
描述 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
是否无铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 - FLATPACK, R-CDFP-F2 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 - 2 2
制造商包装代码 - CASE 465A-06 CASE 465-06
Reach Compliance Code - compliant unknown
ECCN代码 - EAR99 EAR99
外壳连接 - SOURCE SOURCE
配置 - SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 - 65 V 65 V
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 - L BAND L BAND
JESD-30 代码 - R-CDFP-F2 R-CDFM-F2
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 - 200 °C 200 °C
封装主体材料 - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLATPACK FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) - 260 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 273 W 273 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 NOT SPECIFIED
晶体管应用 - AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
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