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MRF19085LSR3

产品描述FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小441KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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MRF19085LSR3概述

FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S

MRF19085LSR3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F2
针数2
制造商包装代码CASE 465A-06
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)273 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MRF19085LSR3相似产品对比

MRF19085LSR3 MRF19085LR5 MRF19085LR3
描述 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦)
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F2 - FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2 - 2
制造商包装代码 CASE 465A-06 - CASE 465-06
Reach Compliance Code compliant - unknown
ECCN代码 EAR99 - EAR99
外壳连接 SOURCE - SOURCE
配置 SINGLE - SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V - 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 L BAND - L BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F2 - R-CDFM-F2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C - 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 273 W - 273 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

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