IC SRAM 4M PARALLEL
参数名称 | 属性值 |
存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 |
存储容量 | 4Mb (256K x 16) |
写周期时间 - 字,页 | 45ns |
访问时间 | 45ns |
存储器接口 | 并联 |
电压 - 电源 | 2.2 V ~ 3.6 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
CY62147GE30-45BVXIT | CY62147G30-55BVXET | CY62147G30-45B2XIT | CY62147G18-55BVXIT | CY621472G30-45ZSXA | CY62147G30-55BVXE | CY62147G30-45ZSXA | CY62147GE18-55BVXIT | CY62147G18-55ZSXT | |
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描述 | IC SRAM 4M PARALLEL | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM Micropower SRAMs | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM Micropower SRAMs | IC SRAM 4M PARALLEL | Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
技术 | SRAM - 异步 | - | - | - | CMOS | CMOS | CMOS | SRAM - 异步 | CMOS |
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