SRAM Micropower SRAMs
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 包装说明 | TSOP2, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 18.415 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 座面最大高度 | 1.194 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| CY62147G30-45ZSXA | CY62147G30-55BVXET | CY62147G30-45B2XIT | CY62147G18-55BVXIT | CY621472G30-45ZSXA | CY62147G30-55BVXE | CY62147GE30-45BVXIT | CY62147GE18-55BVXIT | CY62147G18-55ZSXT | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | SRAM Micropower SRAMs | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM MICROPOWER SRAMS | SRAM Micropower SRAMs | SRAM MICROPOWER SRAMS | IC SRAM 4M PARALLEL | IC SRAM 4M PARALLEL | Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |
| 技术 | CMOS | - | - | - | CMOS | CMOS | SRAM - 异步 | SRAM - 异步 | CMOS |
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