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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2706JE(TE85L,F)
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RN2706JE(TE85L,F)

产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小558KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2706JE(TE85L,F)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

RN2706JE(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time12 weeks
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN2701JE~RN2706JE
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2701JE, RN2702JE, RN2703JE
RN2704JE, RN2705JE, RN2706JE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
•
•
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin) package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact
equipment and lowers assembly cost.
•
Complementary to RN1701JE to RN1706JE
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN2701JE
RN2702JE
R2
RN2703JE
RN2704JE
E
RN2705JE
RN2706JE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
1.BASE1
(B1)
2.EMITTER
(E)
3.BASE2
(B2)
4.COLLECTOR2 (C2)
5.COLLECTOR1 (C1)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
―
2-2P1D
Weight: 0.003 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2701JE
to 2706JE
RN2701JE
to 2704JE
RN2705JE
RN2706JE
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−10
V
EBO
−5
I
C
RN2701JE
to 2706JE
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
−100
100
150
−55
to 150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
Equivalent Circuit
(top view)
5
Q1
4
Q2
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
1
2
3
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Start of commercial production
2000-06
1
2014-03-01

RN2706JE(TE85L,F)相似产品对比

RN2706JE(TE85L,F) RN2702JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) RN2704JE(TE85L,F) RN2705JE(TE85L,F) RN2701JE(TE85L,F)
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV tran dual CE pnp esv -50v -100a TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 50 70 80 80 30
元件数量 2 2 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - - Toshiba(东芝)

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