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RN2909(T5L,F,T)

产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小317KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2909(T5L,F,T)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

RN2909(T5L,F,T)规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)70 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装US6

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RN2907~RN2909
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2907, RN2908, RN2909
Unit: mm
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1907 to 1909
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN2907
RN2908
RN2909
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
JEDEC
JEITA
2-2J1A
TOSHIBA
Weight: 6.8 mg (typ.)
Equivalent Circuit
(Top View)
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN2909(T5L,F,T)相似产品对比

RN2909(T5L,F,T) RN2907(T5L,F,T) RN2908(T5L,F,T) RN2908,LF(CT RN2909,LF(CT
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双) 2 个 PNP 预偏压式(双) 2 个 PNP 预偏压式(双) - -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA 100mA 100mA - -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 50V 50V - -
电阻器 - 基底(R1) 47 千欧 10 千欧 47 千欧 - -
电阻器 - 发射极基底(R2) 22 千欧 47 千欧 22 千欧 - -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 10mA,5V 80 @ 10mA,5V 80 @ 10mA,5V - -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA - -
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO) 100nA(ICBO) - -
频率 - 跃迁 200MHz 200MHz 200MHz - -
功率 - 最大值 200mW 200mW 200mW - -
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 - -
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 - -
供应商器件封装 US6 US6 US6 - -
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