Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2966FE(TE85L,F)

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RN2966FE(TE85L,F): 产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小599KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2966FE(TE85L,F)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

RN2966FE(TE85L,F)规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	80
元件数量	2
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
表面贴装	YES
晶体管元件材料	SILICON

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RN2961FE~RN2966FE

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

RN2961FE, RN2962FE, RN2963FE

RN2964FE, RN2965FE, RN2966FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

•

Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)

package.

Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

Reducing the parts count enables the manufacture of ever more

compact equipment and lowers assembly cost.

Complementary to RN1961FE to RN1966FE

Unit: mm

•

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN2961FE

RN2962FE

RN2963FE

RN2964FE

RN2965FE

RN2966FE

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

2-2N1A

Weight: 0.003 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)

Characteristics

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2961FE to RN2966FE

RN2961FE to RN2964FE

RN2965FE, RN2966FE

Symbol

CBO

CEO

EBO

(Note 1)

stg

Rating

−50

−10

−5

−100

100

150

−55

to 150

Unit

°C

Equivalent Circuit

(top view)

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Start of commercial production

2000-05

2014-03-01

RN2966FE(TE85L,F)相似产品对比

	RN2966FE(TE85L,F)	RN2961FE(TE85L,F)	RN2962FE(TE85L,F)	RN2963FE(TE85L,F)	RN2964FE(TE85L,F)	RN2965FE(TE85L,F)
描述	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	80	30	50	70	80	80
元件数量	2	2	2	2	2	2
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W	0.1 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)

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