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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2962FE(TE85L,F)
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RN2962FE(TE85L,F)

产品描述TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小599KB，共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2962FE(TE85L,F)概述

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

RN2962FE(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)50
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

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RN2961FE~RN2966FE
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2961FE, RN2962FE, RN2963FE
RN2964FE, RN2965FE, RN2966FE
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
•
•
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)
package.
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
Complementary to RN1961FE to RN1966FE
Unit: mm
•
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
Type No.
RN2961FE
RN2962FE
R2
RN2963FE
RN2964FE
E
RN2965FE
RN2966FE
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
B
R1
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
―
―
2-2N1A
Weight: 0.003 g (typ.)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2961FE to RN2966FE
RN2961FE to RN2966FE
RN2961FE to RN2964FE
RN2965FE, RN2966FE
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−10
−5
−100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
Q1
Q2
1
2
3
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Start of commercial production
2000-05
1
2014-03-01

RN2962FE(TE85L,F)相似产品对比

RN2962FE(TE85L,F) RN2961FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) RN2964FE(TE85L,F) RN2965FE(TE85L,F) RN2966FE(TE85L,F)
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 50 30 70 80 80 80
元件数量 2 2 2 2 2 2
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)

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