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SM4006PL-TP

产品描述DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小334KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SM4006PL-TP概述

DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FL

SM4006PL-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)800V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 1A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 800V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳SOD-123F
供应商器件封装SOD-123FL
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

SM4006PL-TP相似产品对比

SM4006PL-TP SM4004PL-TP SM4001PL-TP SM4003PL-TP SM4005PL-TP SM4007PL-TP SM4002PL-TP
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FL
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 800V 400V 50V 200V 600V 1000V 100V
电流 - 平均整流(Io) 1A 1A 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A 1.1V @ 1A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 800V 5µA @ 400V 5µA @ 50V 5µA @ 200V 5µA @ 600V 5µA @ 1000V 5µA @ 100V
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 SOD-123F SOD-123F SOD-123F SOD-123F SOD-123F SOD-123F SOD-123F
供应商器件封装 SOD-123FL SOD-123FL SOD-123FL SOD-123FL SOD-123FL SOD-123FL SOD-123FL
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
不同 Vr,F 时的电容 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz - 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz -
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